Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Инфракрасные фотоприемные устройства на основе системы фотодиод - прямоинжекционное устройство считывания
- Авторы
- Карнаушенко Даниил Дмитриевич , стажер, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пp. ак. Лавpентьева, 13
Ли Ирлам Игнатьевич Irlamlee@isp.nsc.ru, ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пp. ак. Лавpентьева, 13
Половинкин Владимир Григорьевич , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пp. ак. Лавpентьева, 13
Гуменюк-Сычевская Жанна Витальевна gumenjuk@isp.kiev.ua, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников НАН Украины, Украина, 03028, Киев, пр. Науки, 41
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- Hg1-xCdxTe / фотодиод / многоэлементное фотоприемное устройство / устройство считывания с прямой инжекцией заряда / тепловизионная система
- Год
- 2012 номер журнала 4 Страницы 91 - 99
- Индекс УДК
- УДК 535.247.049.7:621.383.52
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлена математическая модель многоэлементных инфракрасных фотоприемных устройств на основе системы фотодиод - прямоинжекционное устройство считывания. Модель позволяет проводить анализ с заданием вольт-амперных характеристик фотодиодов как в аналитическом виде, так и аппроксимацией экспериментальных данных, определить основные факторы, лимитирующие характеристики многоэлементных фотоприемных устройств и тепловизионных систем на их основе, в зависимости от электрофизических и конструктивных параметров фотодиодов, устройств считывания, фоновой обстановки.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Рогальский А. Инфракрасные детекторы. - Новосибирск: Наука, 2003.
Felix P., Moulin M., Munier B., Portmann J. // IEEE Transaction on Electron Devices. 1980. V. ED-27. No. 1. P. 175.
Longo J. T., Cheung D. T., Andrews A. M. et al. // IEEE J. Solid State Circuits. 1978. V. SC-13. No. 1. P. 139.
Кунакбаева Г. Р., Ли И. И., Черепов Е. И. // Радиотехника и электроника. 1993. № 5. C. 922.
Кунакбаева Г. Р., Ли И. И. //Автометрия. 1996. № 5. C. 21.
Anderson W. W. // Infrared Physics. 1981. V. 20. P. 353.
Anderson W. W., Hoffman H. J. // J. Appl. Physics. 1982. V. 53. No. 12. P. 9130.
Gumenjuk-Sichevska J. V., Sizov F. F.// Semicond. Sci. Techn. 1999. V. 14. P. 1124.
Sizov F., Lysiuk I., Gumenjuk-Sichevska J. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. P. 356.
Yoshino J., MorimotoJ., Wada H., Ajisawa A., Kawano M., Oda N. // Opto-Electronics Review. 1999. V. 7. P. 361.
Krishnamurthy S., Berding M. A., Robinson H., Sher A. // Journal of Electronic Materials. 2006. V. 35(6). P. 1399.
Overstraeten R., Declerck G., Muls P. // IEEE Trans. Electron Devices. 1975. V. ED-22. P. 282.
Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах. - М.: Мир, 1986.
Chow K., Roud J., Sub D., Blackwell J. // IEEE Trans. Electron Devices. 1982. V. ED-29. P. 3.
Reimbold G. // IEEE Trans. Electron Devices. 1984. V. ED-31. P. 1190.
Карнаушенко Д. Д., Ли И. И., Половинкин В. Г. // Оптический журнал. 2010. № 9. C. 30.
Woolaway J. // Photonics Spectra. 1991. February. P. 113.
Таубкин И. И., Тришенков М. А. // Оптический журнал. 1993. № 5. C. 20.
Ли И. И. // Микроэлектроника. 2008. T. 37. № 2. C. 131.
Lee I. I. // Infrared Physics @ Technology. 2010. V. 53. No. 2. P. 140.
Pistone F., Tribolet P., Vuillermet M. // Opto-Electronics Review. 2006. V. 14(2). P. 109.
Rogalski A. // Ibid. 2008. V. 16(4). P. 458.
Phillips J. D., Edwall D. D., Lee D. L. // Journal of Electronic Materials. 2002. V. 31. No. 7. P. 664.
- Купить
- 100.00 руб