Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Детекторные диоды Шоттки с пониженной высотой барьера на основе структур кремния, легированных сурьмой
- Авторы
- Закамов Вячеслав Робинович zvr@ipm.sci-nnov.ru, научный сотрудник, Институт физики микроструктур РАН, Россия, 603950, Нижний Новгород, ГСП-105. Тел. (831) 438-55-55
Чеченин Юрий Иванович , начальник лаборатории, ФГУП «НПО "Салют"», Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Ларина, 7
- В разделе
- ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА
- Ключевые слова
- детекторные диоды / низкобарьерные диоды Шоттки
- Год
- 2012 номер журнала 3 Страницы 101 - 105
- Индекс УДК
- УДК 621.382.2; 621.396.621.57
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрена возможность получения низкобарьерных контактов Шоттки на n-типе кремния за счет выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии сильно легированного приповерхностного слоя (толщиной около 4 нм). Получены омические контакты и низкобарьерные контакты с дифференциальным сопротивлением 1-2 кОм. Опробован способ частичного стравливания высоколегированного поверхностного слоя ионами аргона для получения барьера Шоттки. Проведено измерение емкости низкобарьерных контактов и отклика на внешний высокочастотный сигнал.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Brown E. R. // J. Solid-State Electronics. 2004. V. 48. P. 2051.
Кристаллические детекторы/ Под ред. Пумпера Е. Я. -М.: Советское радио, 1950.
Rommel S. L., Dillon T. E., Dashiell M. W. et al. // J. Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2191.
Tu K. N., Thompson R. D., Tsaur B. Y. // J. Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. No. 8. P. 626.
Sassen S., Witzigmann B., Wolk C., Brugger H. // J. IEEE Transaction on Electron. Devices. 2000. V. 47. No. 1. P. 24.
Zhirun Hu, Vo V. T., Rezazadeh A. A. // J. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2005. V. 15. No. 3. P. 150.
Meyers R. G., Fay P., Schulman J. N. et al. // IEEE Electron Devices Letters. 2004. V. 25. No. 1. P. 4.
Young A. C., Zimmerman J. D., Brown E. R., Gossard A. C. // J. Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 163506.
Yurasov D. V., Drozdov M. N., Murel A. V. et al. // J. Applied Physics. 2011. V. 109. P. 113533.
Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Капитанчук Л. М. и др. // Материалы и технология изготовления приборов СВЧ. 2009. № 2. C. 31.
Описание диодов MA4E2054 Series фирмы M/A-COM Technologies Solutions.
Описание диодов BAT62 фирмы Infineon Technologies, 2007-04-19.
Описание диодов SMS7621-060 фирмы Skyworks.
- Купить
- 100.00 руб