Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Радиационные эффекты в HgCdTe
- Авторы
- Войцеховский Александр Васильевич vav@elefot.tsu.ru, зав. кафедрой, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Коханенко Андрей Павлович , профессор, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Коротаев Александр Григорьевич , доцент, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Григорьев Денис Валерьевич , доцент, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Кульчицкий Николай Александрович n.kulchitsky@gmail.com, профессор, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Россия, 119454, Москва, проспект Вернадского, 78. Тел. (495) 926-51-74
Мельников Александр Александрович , профессор, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Россия, 119454, Москва, проспект Вернадского, 78. Тел. (495) 926-51-74
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- радиационные дефекты / радиационное воздействие / теллурид кадмия ртути / эпитаксиальные пленки
- Год
- 2012 номер журнала 1 Страницы 82 - 89
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрено влияние различных видов облучения на свойства твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Показано, что данный материал практически не теряет своих качеств при облучении потоками электронов до 1017 см-2 и гамма-квантами дозами до 106 Р. Механизмы образования электрически активных радиационных дефектов (РД) сходны в эпитаксиальных пленках и в объемном материале. Наблюдаемые отличия результатов облучения на эпитаксиальных пленках с переменным составом и объемном материале обусловлены различной динамикой накопления электрически активных РД.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Melngailis J., Ryan J. L., Harman T. C.//J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 2647.
Leadon R. E., Mallon C. E.//Infrared Phys. 1975. V. 15. P. 259.
Mallon C. E., Green B. A., Leadon R. E., Naber J. A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1975. V. 22. P. 2283.
Green B. A., Leadon R. E., Mallon C. E. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. P. 3127.
Leadon R. E., Mallon C. E., Naber J. A. // Proc. Int. Conf. Radiation Effects in Semiconductors. - London. U. K.: Inst. Phys. 1977. P. 514.
Брудный В. Н., Войцеховский А. В., Гречух З. Г. и др. // ФТП. 1977. Т. 11. № 8. С. 1540.
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лиленко Ю. В., Петров А. С. // Матер. Всесоюз. семинара по проблеме "Физика и химия полупроводников". - Павлодар. 1987. С. 57.
Войцеховский А. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П.// Известия вузов. Сер. Физика. 1995. № 10. С. 3.
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Коротаев А. Г.// Физ. электроника. 1988. Вып. 37. С. 53.
Войцеховский А. В., Волошин В. О., Гольман М. Б., Коханенко А. П. // Матер. Всесоюз. семинара по проблеме "Физика и химия полупроводников". 1987. - Павлодар. С. 95.
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Григорьев Д. В. и др. // Прикладная физика. 2003. № 5. С. 99.
Войцеховский А. В., Денисов Ю. А., Коханенко А. П. и др.// Автометрия. 1998. Вып. 4. С. 47.
Войцеховский А. В., Волошин В. О., Гольман М. Б., Коханенко А. П. Радиационная физика узкозонных полупроводников. - Алматы: "Гылым" (Наука), Казахстан, 1998.
Войцеховский А. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П. // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 9. С. 1565.
Kolodny A., Kidron. J. //IEEB Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27. No. 1. P. 37.
Destefanis G. L. //Nucl. Instr. Meth. 1983. V. 209, 210. P. 567.
Schaake H. F. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. V. 4. No. 4. P. 2174.
Bubulac L. O. // Ibid. 1982. V. 21. No. 1. P. 251.
Destefanis G. L. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 700.
Войцеховский А. В., Петров А. С., Кулинаускас В. С. и др.//Известия вузов. Сер. Физика. 1988. Т. 31. № 12. С. 83.
Voitsekhovskii A. V., Lilenko Yu. V., Shastov K. V. et al. // Physica Status Solidi(a). 1989. V. 13. No. 1. P. 285.
Войцеховский А. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П.// Прикладная физика. 2000. № 6. С. 38.
Kumar R., Dutt M. B., Nath R., Chander R., Gupta S. C.// J. Appl. Phys. 1990. V. 68. No. 11. P. 5564.
Талипов Н. Х., Качурин Г. А., Попов В. П.//Тез. докл. III Всесоюз. конф. "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники". - Новосибирск. 1991. С. 31.
Овсюк В. Н., Талипов Н. Х. //Прикладная физика. 2003. № 5. С. 87.
Войцеховский А. В., Коханенко А. П.// Известия вузов. Сер. Физика. 1998. № 1. С. 101.
Войцеховский А. В., Григорьев Д. В., Коханенко А. П., Талипов Н. Х.// Прикладная физика. 2005. № 3. С. 83.
Войцеховский А. В., Григорьев Д. В., Коханенко А. П. и др.// Известия вузов. Сер. Физика. 2006. № 9. С. 25.
Voitsekhovskii A. V., Grigoryev D. V., Smith R.// Semicond. Sci. Technol. V. 23. No. 5. P. 7.
- Купить
- 100.00 руб