Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- О механизме сокращения микродефектов при диффузии фосфора
- Авторы
- Климанов Евгений Алексеевич orion@orion-ir.ru, главный научный сотрудник, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, шоссе Энтузиастов, 46/2
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- дефект / кремний / геттерирование / фосфор / диффузия
- Год
- 2011 номер журнала 6 Страницы 133 - 137
- Индекс УДК
- УДК 621.315.5
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Представлено уточнение механизма процесса сокращения микродефектов в кремнии геттерированием микродефектов диффузионным слоем фосфора.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Kang J. S., Schrocker D. K. // J. Applied Physics. 1989. V. 65. P. 2974.
Климанов Е. А., Кулыманов Е. А., Лисейкин В. П. Способ изготовления p-i-n-фотодиода. А.с. № 680358 от 29.02.1976 г.
Falster R., Voronkov V. V., Quast F.// Physica Status Solidi (b). 2000. No. 219. P. 222.
Secco d'Aragona F. // J. Electrochemical <\\J.Electrochemical> Society. 1972. V. 119. No. 7. P. 948.
Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. - М.: Мир, 1984.
Климанов Е. А., Кулыманов А. В., Лисейкин В. П.// Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". 1977. № 7. C. 34.
Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. - М.: Наука, 1986.
Meek R. L., Seidel T. E., Cullis A. G. // J. Electrochemical <\\J.Electrochemical> Society. 1975. V. 122. No. 5. P. 786.
Глазов В. М., Земсков В. С. Физико-химические основы легирования полупроводников.
Frewen T. A., Sinno T. // Applied Physics Letters. 2006. V. 89. Art. 191903.
C. del Canizo, A. Luque // J. Electrochemical Society. 2000. V. 147. No. 7. P. 2685.
- Купить