Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Современное состояние и новые направления полупроводниковой ИК-фотоэлектроники. (Часть 1)
- Авторы
- Корнеева Марина Дамировна orion@orion-ir.ru, первый зам. гендиректора, ГНЦ РФ ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (499) 374-88-41
Филачёв Анатолий Михайлович orion@orion-ir.ru, генеральный директор, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
Пономаренко Владимир Павлович orion@orion-ir.ru, зам. генерального директора, профессор, ФГУП «НПО "Орион"», ГНЦ РФ; Московский физико-технический институт, Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9; Россия, 141700, г. Долгопрудный МО, Институтский пер., 9
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- фотоэлектроника / тепловидение / многоспектральный / кадмий-ртуть-теллур / антимонид индия / твердый раствор / халькогениды свинца / обнаружительная способность / матричный / быстродействующий / метаматериал / наноразмерный
- Год
- 2011 номер журнала 2 Страницы 47 - 60
- Индекс УДК
- УДК 621.383
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- Рассмотрено современное состояние и научно-технологические предпосылки развития ряда базовых технологий инфракрасной фотоэлектроники: полупроводниковых фоточувствительных материалов, твердотельных фотопреобразователей для ИК-, УФ- и терагерцовой областей электромагнитного излучения, многоспектральных и быстродействующих приборов, метаматериалов и нанотехнологий для создания новых классов оптико-электронной аппаратуры. Представлены результаты создания ряда фотоприемных устройств, "смотрящих" и ВЗН-матриц из Cd02Hg08Te, InSb, InGaAs, GaPAs, PbS, PbSe, Si и Ge для областей спектра 8-12, 3-5, 1-2 мкм с числом элементов 2×96, 2×256, 4×288, 2× (2×288), 6×576, 128×128, 256×256, 320×256, 384×288 и др., систем цифровой обработки и синтеза изображений, матричных формирователей тепловизионного видеосигнала на их основе.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Long J. P., Varadaraajian S., Matthews J., Schetzina. J. F. UV-detectors and focal plane array imagers based on AlGaN p-i-n-pho-todiodes//Optoelectronics Review. 2002. V. 10. No. 4. P. 254.
Photonics Spectra. 2004. V. 38. No. 2. P. 5, 78.
Rothman J., Perrais G., De Borniol E., Castelein P., Baier N., Guellec F., Tchagaspanian M., Ballet P., Mollard L., Gout S., Perez A., Fournier M., Chamonal J.-P., Tribolet P.M., Destefanis G.. HgCdTe ADP-focal plane array development at CEA Leti-Minatec//Proc. SPIE. 2008. V. 6940. P. 69402N(1)-69402N(12).
Richards P. L. Bolometers for infrared and millimeter waves // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. No. 1. P. 1-24.
Асеев А. Л. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники // Обзоры "Российские нанотехнологии". 2006. T. 1. № 1-2. C. 97.
Тарасов В. В., Якушенков Ю. Г. Двух- и многодиапазонные оптико-электронные системы с матричными приемниками излучения. - М.: Университетская книга; Логос, 2007.
Пономаренко В. П. Теллурид кадмия-ртути и новое поколение приборов инфракрасной фотоэлектроники//УФН. 2003. T. 173. № 6. C. 649-665.
Пономаренко В. П., Филачёв А. М. Инфракрасная техника и электронная оптика. - М.: Физматкнига, 2006.
Sidorov Yu. G., Yakushev M. V., Pridachin D. N., Varavin V. S., Burdina L. D. The heteroepitaxy of II-VI compounds on the non-isovalent substrates (ZnTe/Si) // Thin Sol. Films. 2000. V. 367. P. 203.
Sabinina I. V., Gutakovskii A. K., Sidorov Yu. G., Dvoretsky S. A., Kuzmin V. D. Defect formation during growth of CdTe(111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy // Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 238.
Yakushev M. V., Babenko A., Kartashov D., Mikhailov N. N., Sabinina I. V., Sidorov Yu. G., Vasiliev V. V. V-defects at MBE-heteroepitaxy on GaAs(301) and Si(301) substrates // Proc. SPIE. 2005. V. 5957. P. 590.
Ettenberg M. H., Cohen M. J., Brubaker R. M., Lange M. J., O'Grady M. T., Olsen G. H. Indium Gallium Arsenide Imaging with Smaller Cameras, Higer Resolution Arrays and Greater Material Sensitivity // Ibid. 2002. V. 4721. P. 26.
Zimmermann John, L., Nemeth S., Colin T., Merken P., Borghs S., C.van Hoof. Extended In02Ga08As on GaAs Detectors for SWIR Linear Sensors // Ibid. 2001. V. 4369. P. 692-697.
Бланк Т. В., Гольдберг Ю. А. Полупроводниковые фотопреобразователи для ультрафиолетовой области спектра // ФТП, 2003. № 37. C. 1025.
Линьков В., Морозов А., Сидоров В. Локационные системы оптического диапазона комплексов ПВО надводных кораблей ВМС иностранных государств//Зарубежное военное обозрение. 2000. № 7. C. 47.
Кацапов Ф. М., Сергеев В. И. Перспективные материалы для элементной базы оптоэлектроники//Электронная промышленность. 2005. № 2.
Анисимова И. Д., Викулин И. М., Заитов Ф. А., Курмашев Ш Д./Под ред. В. И. Стафеева. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. - М.: Радио и связь, 1984.
Гуляев Ю. В., Алтухов А. А., Митягин А. Ю. Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе алмаза 2а-типа для нового поколения аппаратуры наблюдения и распознавания объектов//Наука и технологии промышленности. 2006. № 5. С. 27.
Алтухов А. А., Митягин А. Ю., Фещенко В. С. Матричный фотоприемник для регистрации изображений в ультрафиолетовой области спектра // Датчики и системы. 2010. № 1. С. 50.
Анисимова И. Д., Стафеев В. И. Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе широкозонных соединений А3В5 // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 41.
Electro-Optical Imaging: System Performance and Modeling. Editor Lucien M. Biberman. SPIE Rress, Bellingham, Wa-shington, 2000.
Справочник по инфракрасной технике. Т. 1/Под ред. У. Вольфа и Г. Цисиса. - М.: Мир, 1995.
Волков В. Г. Приборы ночного видения новых поколений // Специальная техника. 2001. № 5. С. 2.
Escher J. T., Maloney T. J., Gregory P. E., Hyder S. B., Houng Y. M. Photoemission to 1.7 ?m from an InP/InGaAs trasfered-electron photocathode//IEEE Trans. Electron. Devices. 1978. V. ED-25. P. 1347.
John J., Zimmermann L., Nemeth S., Colin T., Merken P., Borghs S., van Hoof C. Extended In02Ga08As on GaAs Detectors for SWIR Linear Sensors//Proc. SPIE. 2001. V. 4369. P. 692.
Chorier P., Tribolet P., Fillon P. A.Manissadjian. Application needs and trade-offs for Short Wave Infrared detectors // Ibid. 2003. V. 5074. P. 363.
Ettenberg M. H., O'Grady M. T., Huang S., Cohen M. J. A miniaturized 320×256 indium gallium arsenide SWIR camera for robotic and unmanned aerial vehicle application // Ibid. P. 353.
Abedin M. N., Refaat T. F., Joshi R. P., Sulima O. V., Mauk M., Singh U. N. Characterizatin and Analisis of InGaAsSb Detectors // Ibid. P. 332.
Cabelli S. A., Pan J., Bernd S. G., Tennant W. E., Blackwell J. D., Bhargava S., Pasko J. G., Piquette E. C., Edwall D. D. High-Resolution Extended NIR Camera // Ibid. P. 343.
Refaat T. F., Abedin M. N., Singh U. N., Bhagwat V., Bhat I. B., Dutta P. S. Characterization of InGaSb detectors for 1.0 to 2.4 ?m application // Ibid. 2004. V. 5406. P. 56.
Bitter M., Pan Z., Kristjanson S., Boman L., Gold R., Pauchard A. InGaAs-on-Si Photodetectors for High-Sensitivity Detection // Ibid. P. 1.
Boisvert J., Masalykin A., Kinsey G. S., Isshiki T., Haddad M., Sudharsanan R., Zheng X., Campbell J. C. Characterization of InAlAs/InGaAs APD arrays for SWIR imaging applications // Ibid. P. 13.
Рогальский А. Инфракрасные детекторы. - г. Новосибирск: Наука, 2003.
Филачёв А. М., Пономаренко В. П., Таубкин И. И., Ушакова М. Б. Инфракрасные матрицы и тенденции их развития (Части 1 и 2) // Прикладная физика. 2003. № 1. C. 105. № 2. С. 54.
Бурлаков И. Д., Пономаренко В. П., Филачёв А. М., Дегтярев Е. В. Фотоприемные устройства для тепловизионной аппаратуры второго поколения // Там же. 2007. № 2. С. 43.
Гринченко Л. Я., Пономаренко В. П., Филачёв А. М. Современное состояние и перспективы инфракрасной фотоэлектроники // Там же. 2009. № 2. С .57.
Чишко В. Ф., Касаткин И. Л., Бурлаков И. Д., Лопухин А. А., Пономаренко В. П., Филачёв А. М., Бородин Д. В., Осипов Ю. В., Карпов В. В., Крошин А. М. Низкофоновое субматричное ФПУ формата 288×32 на основе InSb с цифровым режимом ВЗН // Там же. 2007. № 2. С. 61.
Триболе Ф., Дестенфанис Ж. Большие смотрящие КРТ-матрицы компании "Софрадир" // Там же. С. 54.
Zandian M., Scott D., Garnett J., Edwall D. D., Pasko J., Farris M., Daraselia M., Arias J. M., Bajaj J., Hall D. N. B., Jacobson S., Luppino G., Parker S. Ten-inch Molecular Beam Epitaxy Production System for HgCdTe Growth//Journ. Electron. Mater. 2005. V. 34. No. 6. P. 891.
Schooley M. G., Mei E. Low Cost 3D Vision for Autonomous Vehicles // Proc. SPIE. 2003. V. 5074. P. 28.
Demiguel S. Theoretical analysis and comparison of SWIR active imaging detectors//Ibid. 2009. V. 7298. P.729836(1)-7298236(10).
Reine M. B., Marciniec J. W., Wong K. K., Parodos T., Mullarkey J. D., Lamarre P. A., Tobin S. P., Minich R. W., Gustavsen K. A., Compton M., Williams G. M. Characterization of HgCdTe MWIR Back-Illuminated Electron-Initiated Avalanche Photodiodes // Journ. Electron. Mater. 2008. V. 37. No. 9. P. 1377.
Derelle S., Bernhardt S., Haidar R., Primot J., Deschamps J., Rothman J., Perrais G.. A Monte Carlo study of multiplication and noise in HgCdTe avalanche photodiodes//Proc. SPIE. 2008. V. 7003. P. 70031P(1)-70031P(11).
Beck Woodall M., Scritchfield R., Ohlson M., Wood L., Mitra P., Robinson J. Gated IR Imaging with 128×128 HgCdTe Electron Avalanche Photodiode FPA//Journ. Electron. Mater. 2008. V. 37. No. 9. P. 1335.
Kinch M. A Theoretical Model for the HgCdTe Electron Avalanche Photodiode//Ibid. P. 1453.
Guellec F., Tchagaspanian M., de Borniol E., Castelein P., Perez A., Rothman J. Advanced pixel design for infrared LADAR imaging//Proc. SPIE. 2008. V. 6940. P. 69402M(1)-69402M(10).
Pistone F., Tribolet P., Lefoul X., Zecri M., Courtas S., Jenouvrier P. New High Gain Detector for Active Imaging // Ibid. 2009. V. 7298. P. 729834(1)-7298234(10).
Филачёв А. М., Пономаренко В. П., Таубкин И. И., Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Горелик Л. И., Кравченко Н. В., Кулыманов А. В., Куликов К. М., Ложников В. Е., Шаронов Ю. П. Фотоприемники и фотоприемные устройства для приема импульсного излучения в спектральном диапазоне 0,3-11 мкм // Прикладная физика. 2002. № 6. C. 52.
Горелик Л. И., Кравченко Н. В., Куликов К. М., Трошкин Ю. С. Применение фоторезисторов на основе CdxHg1-xTe для приема импульсного излучения СО2-лазера//Там же. 1999. № 3. C. 54.
- Купить
- 100.00 руб