Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Арсенид галлиевые ФПУ УФ-диапазона для многоспектральных оптоэлектронных систем
- Авторы
- Легкий Владимир Николаевич , профессор, Новосибирский государственный технический университет, Россия, 630092, г. Новосибирск, пр. Маркса, 20. Тел.: (383 ) 226-54-77, 346-26-23
Галун Борис Васильевич , доцент, Новосибирский государственный технический университет, Россия, 630092, г. Новосибирск, пр. Маркса, 20. Тел.: (383 ) 226-54-77, 346-26-23
Киселев Михаил Владимирович sniios@mail.ru, доцент, Новосибирский государственный технический университет, Россия, 630092, г. Новосибирск, пр. Маркса, 20. Тел.: (383 ) 226-54-77, 346-26-23
Толбанов Олег Петрович , зав. научно-образовательным центром, Томский государственный университет, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36
Мокеев Дмитрий Юрьевич , научный сотрудник, Томский государственный университет, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36
Тяжев Антон Владимирович , зав. лабораторией, Томский государственный университет, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- арсенид галлия / полупроводниковые фотодетекторы / ультрафиолетовое излучение / токовая чувствительность
- Год
- 2011 номер журнала 2 Страницы 112 - 115
- Индекс УДК
- УДК 621.382.4
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- В работе описан и исследован прототип 128-канального модуля на основе GaAs детекторов ультрафиолетового излучения. Лабораторные испытания модуля показали высокое значение токовой чувствительности арсенид-галлиевого фотоприемника, равное 60-120 мА/Вт в диапазоне 220-320 нм.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Asif Khan M. // J. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. No. 18. P. 2455.
Yan F., Xin X., Aslam S., Zhao Y., Franz D., Zhao J., Weiner M.// J. Quant. Elect. 2004. V. 40. No. 9. P. 2455.
Кривченко В. А., Лопаев Д. В., Пащенко П. В. и др.//ЖТФ. 2008. Т. 78. № 8. С. 107.
Faggio G., Messina G., Santangelo S.//Microsystem Technologies. 1999. No. 6. P. 23.
Caria M., Lai A., D`Auria S., Dubecky F.//J. Appl. Phys. Lett.. 2002. V. 81. No. 8. P. 1506.
Айзенштат Г. И., Вилисова М. Д., Другова Е. П. и др.//ЖТФ. 2006. Т. 78. № 8. С. 46.
- Купить
- 100.00 руб