Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Электрические характеристики МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава
- Авторы
- Войцеховский Александр Васильевич vav@elefot.tsu.ru, зав. кафедрой, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Несмелов Сергей Николаевич , старший научный сотрудник, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1. Тел. (3822) 41-27-72
Дзядух Станислав Михайлович , , Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1. Тел. (3822) 41-27-72
Дворецкий Сергей Алексеевич ifp@isp.nsc.ru, ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия, Россия, 630090, г. Новосибирск, пp. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-39-50. Факс: (383) 333-27-71
Михайлов Николай Николаевич ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия, Россия, 630090, г. Новосибирск, пp. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-39-50. Факс: (383) 333-27-71
Васильев Владимир Васильевич ifp@isp.nsc.ru, зав. лабораторией, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Варавин Василий Семенович ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Сидоров Юрий Георгиевич ifp@isp.nsc.ru, зав. отделом, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Якушев Максим Витальевич ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- МДП-структура / теллурид кадмия ртути / состав / варизонный слой
- Год
- 2011 номер журнала 2 Страницы 116 - 121
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- Экспериментально исследованы фотоэлектрические и электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиальной структуры (ГЭС) HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава CdТе. Показано, что увеличение состава CdТе на поверхности приводит к увеличению дифференциального сопротивления области пространственного заряда для МДП-структур на основе p-Hg0,78Cd0,22Te. Наибольшее влияние периодических барьерных областей с резко повышенным составом CdТе на электрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te проявляется при расположении этих областей вблизи границы раздела диэлектрик-полупроводник.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Goodwin M. W., Kinch M., Koestner R. J. // J. Vac. Sci. Technol. Jul. /Aug. 1988. A6(4). P. 2685-2692.
Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. - Новосибирск: Наука, 2001.
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В. // ФТП. 2008. № 11. С. 1327-1332.
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В., Захарьяш Т. И., Машуков Ю. П. // Известия вузов. Сер. Физика. 2006. № 10. С. 70-80.
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М. // Там же. 2005. № 6. С. 31-37.
Гузев А. А., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Ли И. И., Панова З. В., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В. // Прикладная физика. 2009. № 2. С. 92-96.
- Купить
- 100.00 руб
