16.01.2014
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
№ 6 Основан в 1994 г. Москва 2013
С О Д Е Р Ж А Н И Е
|
Патрашин А.И., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Корнеева М.Д., Лопухин А.А., Никонов А.В., Таубкин И.И., Яковлева Н.И Метод измерения квантовой эффективности и темнового тока в матричных ФПУ |
5 |
|
Демидов В.И., Залетаев Н.Б., Полесский А.В., Семенченко Н.А., Смирнова Е.А., Хамидуллин К.А. Оптический зонд для измерения фотоэлектрической связи в средневолновом ИК-диапазоне |
11 |
|
Средин В.Г., Ананьин О.Б., Бурлаков И.Д., Мирофянченко А.Е., Мелехов А.П., Новиков И.К. Исследование действия мягкого рентгеновского излучения на поверхность твердых растворов СdxHg1-xTe методами атомной силовой микроскопии |
17 |
|
Лазарев П.С., Кондюшин И.С., Кощавцев Н.Ф., Соляков В.Н., Таубкин И.И., Хамидуллин К.А. Применение фотоприемных устройств с режимом ВЗН для регистрации точечных источников излучения |
21 |
|
Селяков А.Ю., Бурлаков И.Д., Пономаренко В.П., Фадеев В.В., Шабаров В.В. Исследование корреляции случайных полей концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИК-фотодиодах методом Ланжевена |
25 |
|
Филачев А.М., Никонов А.В., Болтарь К.О., Моисеев А.Н., Чилясов А.В., Степанов Б.С. Матричные фотодиоды коротковолнового ИК-диапазона на основе MOC-эпитаксиальных слоев КРТ |
37 |
|
Бочков В.Д., Бычковский Я.С., Дражников Б.Н., Кондюшин И.С., Кощавцев Н.Ф. Матричные фотоприемники на основе халькогенидов свинца |
42 |
|
Корнеева М.Д., Сало В.В., Никонов А.В., Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Расчёт показателя преломления эпитаксиальных слоёв КРТ |
48 |
|
Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Филачев А.М., Сало В.В., Яковлева Н.И. Матрицы p-i-n-фотодиодов из AlGaN ультрафиолетового диапазона спектра |
54 |
|
Болтарь О.К., Яковлева Н.И., Кравченко Н.В., Седнев М.В., Никонов А.В., Тришенков М.А. Фотоприемные модули на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN |
61 |
|
Болтарь К.О., Власов П.В.,Лопухин А.А., Ранцан С.К., Пономаренко В.П., Фадеев В.В. Динамическая взаимосвязь в матричных фотоприемниках среднего инфракрасного диапазона спектра |
67 |
|
Болтарь К.О., Таубкин И.И, Седнев М.В., Чинарева И.В.,Лопухин А.А., Смирнов Д.В., Мармалюк А.А., Мазалов А.В., Сабитов Д.Р., Курешов В.А., Падалица А.А. Cолнечно-слепые p─i─n-фотодиды на основе гетероструктур AlGaN/AlN |
71 |
|
Андреев Д.С., Залетаев Н.Б., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В., Тришенков М.А. Изучение процесса диффузии цинка в InP и в гетероструктуры InP/In0.53Ga0.47As/InP применительно к p─i─n-фотодиодам |
76 |
|
ИНФОРМАЦИЯ |
|
|
XLI Международная конференция по физике плазмы и УТС (10-14 февраля 2014 г., г. Звенигород МО) |
82 |
|
23-я Международная Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения |
85 |
|
Научно-технические журналы ФГУП «ВИМИ» |
86 |
|
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» |
87 |
