
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
№ 3 Основан в 1994 г. Москва 2014
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Морозов А.Н., Скрипкин А.В. Статистическое описание флуктуации тока через конденсатор с приложенным к нему случайным напряжением |
|
5 |
Барбин Н.М., Овчинникова И.В., Терентьев Д.И., Алексеев С.Г. Термодинамическое моделирование термических процессов, происходящих в расплавленном сплаве Вуда при различных условиях |
|
8 |
Барбин Н.М., Тиркина И.В., Терентьев Д.И., Алексеев С.Г. Термодинамическое моделирование паровой фазы при испарении расплавленного сплава Вуда при различных давлениях |
|
12 |
Мелкумян Б.В. Изменение моды при движении фазового скелета излучения |
|
17 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Кузенов В.В., Рыжков С.В., Шумаев В.В. Определение термодинамических свойств замагниченной плазмы на основе модели Томаса-Ферми |
|
22 |
Кузенов В.В., Рыжков С.В. Радиационно-гидродинамическое моделирование контактной границы плазменной мишени, находящейся во внешнем магнитном поле |
|
26 |
Балмашнов А.А., Степина С.П., Умнов А.М. Параметры ЭЦР-плазмы, формируемой в узком коаксиальном резона- торе плазменного инжектора CERA-RI-2 |
|
31 |
Курбанисмаилов В.С., Омаров О.А., Рагимханов Г.Б. Излучательные и спектральные характеристики искрового канала в аргоне |
|
35 |
Андреев В.В., Матюнин А.Н., Пичугин Ю.П. Плазмохимический генератор озона с повышенной однородностью микроразрядных процессов в барьерном разряде |
|
39 |
Андреев В.В., Васильева Л.А., Пичугин Ю.П. Исследование энергетической цены синтеза озона в ячейках поверх- ностного диэлектрического барьерного разряда |
|
43 |
Семенов А.П., Балданов Б.Б., Ранжуров Ц.В., Норбоев Ч.Н., Намсараев Б.Б., Дамбаев В.Б., Гомбоева С.В., Абидуева Л.Р. Воздействие низкотемпературной аргоновой плазмы слаботочных высоковольтных разрядов на микроорганизмы |
|
47 |
ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ
Балмашнов А.А., Калашников А.В., Калашников В.В., Степина С.В., Умнов А.М. Самоорганизация сгустков элек- тронов в ЭЦР-источнике рентгеновского излучения CERA-RX(C) |
|
51 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Мирофянченко А.Е., Коротаев Е.Д., Яковлева Н.И. Исследование морфологии поверхности полупроводниковых подложек InSb, предназначенных для ИК-фотоэлектроники |
|
55 |
Яковлева Н.И., Болтарь К.О., Никонов А.В., Бункина Н.А. Особенности спектральной зависимости поглощенияэпитаксиальных структур CdHgTe |
|
61 |
Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Мансветов Н.Г. Характеристики охлаждаемой диафрагмы МФПУ среднего инфракрасного диапазона спектра |
|
67 |
Кононов М.Е., Полесский А.В., Хамидулллин К.А. Фотоэлектрическая связь ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства на основе гетероструктур AlGaN |
|
71 |
Андреев Д.С., Будтолаева А.К., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В. Влияние диффузии серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP на параметры />ш-фотодиодов |
|
75 |
Андреев Д.С., Будтолаева А.К., Огнева О.В., Чинарева И.В. Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP |
|
79 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Железнов Ю.А., Малинский Т.В., Миколуцкий С.И., Токарев В.Н., Хасая Р.Р., Хомич Ю.В., Ямщиков В.А. Экспериментальная установка по микро- и наноструктурированию поверхности твердых тел лазерным излучением |
|
83 |
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» |
|
88 |